Dioda laser
Tampilan
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/b/b9/LASER.jpg/220px-LASER.jpg)
Dioda laser adalah sejenis dioda di mana media aktifnya menggunakan sebuah semikonduktor persimpangan p-n yang mirip dengan yang terdapat pada dioda pemancar cahaya. Dioda laser kadang juga disingkat LD atau ILD.
![](http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/d/d9/Diode_laser.jpg/220px-Diode_laser.jpg)
Dioda laser baru ditemukan pada akhir abad ini oleh ilmuwan Universitas Harvard. Prinsip kerja dioda ini sama seperti Dioda lainnya yaitu melalui sirkuit dari rangkaian elektronika, yang terdiri dari jenis p dan n. Pada kedua jenis ini sering dihasilkan 2 tegangan, yaitu:
- biased forward, arus dihasilkan searah dengan nilai 0,707 utk pembagian v puncak, bentuk gelombang di atas ( + ).
- backforward biased, ini merupakan tegangan berbalik yang dapat merusak suatu komponen elektronika.
Bacaan lanjutan
[sunting | sunting sumber]- B. Van Zeghbroeck's Principles of Semiconductor Devices( for direct and indirect band gaps)
- Saleh, Bahaa E. A. and Teich, Malvin Carl (1991). Fundamentals of Photonics. New York: John Wiley & Sons. ISBN 0-471-83965-5. ( For Stimulated Emission )
- Koyama et al., Fumio (1988), "Room temperature cw operation of GaAs vertical cavity surface emitting laser", Trans. IEICE, E71(11): 1089–1090( for VCSELS)
- Iga, Kenichi (2000), "Surface-emitting laser—Its birth and generation of new optoelectronics field", IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 6(6): 1201–1215(for VECSELS)
- Duarte, F. J. (2016), "Broadly tunable dispersive external-cavity semiconductor lasers", in Tunable Laser Applications. New York: CRC Press. ISBN 9781482261066. pp. 203–241 (For external cavity Diode lasers).