Proses 10 nm
Dalam fabrikasi semikonduktor, International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) mendefinisikan " proses 10 nanometer " sebagai simpul teknologi MOSFET yang mengikuti simpul "14 nm".
Setidaknya sejak tahun 1997, "node proses" diberi nama semata-mata atas dasar pemasaran, dan tidak ada hubungannya dengan dimensi pada sirkuit terpadu; baik panjang gerbang, jarak logam, atau jarak gerbang pada perangkat "10nm" adalah sepuluh nanometer. Misalnya, proses " 7 nm " GlobalFoundries secara dimensi mirip dengan proses "10 nm" Intel. Proses "10 nm" TSMC dan Samsung berada di antara proses "14 nm" dan "10 nm" Intel dalam kepadatan transistor . Kepadatan transistor (jumlah transistor per milimeter persegi) lebih penting daripada ukuran transistor, karena transistor yang lebih kecil tidak lagi berarti peningkatan kinerja, atau peningkatan jumlah transistor.[1][2][3][4][5][6][7][8]
Semua proses produksi "10 nm" didasarkan pada teknologi FinFET (fin field-effect transistor), sejenis teknologi MOSFET multi-gerbang yang merupakan evolusi non-planar dari teknologi CMOS silikon planar. Samsung pertama kali memulai produksi chip "kelas 10 nm" pada tahun 2013 untuk chip memori flash multi-level cell (MLC), diikuti oleh SoC mereka yang menggunakan proses 10 nm pada tahun 2016. TSMC memulai produksi komersial chip "10 nm" pada tahun 2016, dan Intel kemudian memulai produksi chip "10 nm" pada tahun 2018.
Node proses
[sunting | sunting sumber]Foundry
[sunting | sunting sumber]Aturan Dasar Perangkat Logika ITRS (2015) |
Samsung | TSMC | Intel | |||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nama proses | 16/14 nm | 11/10 nm | 10LPE (10 nm) |
10LPP (10 nm) |
8LPP (8 nm) |
8LPU (8 nm) |
8LPA (8 nm) |
10FF (10 nm) |
10nm[9] | 10nm SF (10 nm)[a] |
Kepadatan transistor (MTr / mm2) | Tidak diketahui | Tidak diketahui | 51.82[8] | 61.18[8] | ? | 52.51[11] | 100.76[12][b] | |||
Transistor gate pitch (nm) | 70 | 48 | 68 | 64 | ? | 66 | 54 | |||
Interconnect pitch (nm) | 56 | 36 | 51 | ? | ? | 44 | 36 | |||
Transistor fin pitch (nm) | 42 | 36 | 42 | 42 | ? | 36 | 34 | |||
Transistor fin height (nm) | 42 | 42 | 49 | ? | ? | 42 | 53 | |||
Production year | 2015 | 2017 | 2017 production[8] | 2017 production[8] | 2018 production | 2019 production | 2021 production | 2016 risk production[6] 2017 production[6] |
2018 production (Cannon Lake)[14] |
2020 production (Tiger Lake)[15] |
Lihat pula
[sunting | sunting sumber]- International Technology Roadmap for Semiconductors
- Fabrikasi semikonduktor
- Fotolitografi
- Litografi ultraviolet ekstrim
- Daftar contoh skala semikonduktor
- Litografi rendam
- ASML Holding pemasok sistem fotolitografi terbesar, terutama untuk industri semikonduktor.
- SEMI — The semiconductor industry trade association
- Sirkuit terpadu
- MOSFET
- FinFET
- Multi-gate MOSFET
- CMOS
- Transistor
- Semikonduktor
- Nanometer
Referensi
[sunting | sunting sumber]- ^ "No More Nanometers – EEJournal". 23 July 2020.
- ^ Shukla, Priyank. "A Brief History of Process Node Evolution". design-reuse.com. Diakses tanggal 2019-07-09.
- ^ Hruska, Joel. "14nm, 7nm, 5nm: How low can CMOS go? It depends if you ask the engineers or the economists..." ExtremeTech.
- ^ "Exclusive: Is Intel Really Starting To Lose Its Process Lead? 7nm Node Slated For Release in 2022". wccftech.com. 2016-09-10.
- ^ "Life at 10nm. (Or is it 7nm?) And 3nm - Views on Advanced Silicon Platforms". eejournal.com. 2018-03-12.
- ^ a b c "10nm Technology". TSMC. Diakses tanggal 30 June 2019.
- ^ "VLSI 2018: Samsung's 11nm nodelet, 11LPP". WikiChip Fuse (dalam bahasa Inggris). 2018-06-30. Diakses tanggal 2019-05-31.
- ^ a b c d e "VLSI 2018: Samsung's 8nm 8LPP, a 10nm extension". WikiChip Fuse (dalam bahasa Inggris). 2018-07-01. Diakses tanggal 2019-05-31.
- ^ Demerjian, Charlie (2018-08-02). "Intel guts 10nm to get it out the door". SemiAccurate. Diakses tanggal 29 September 2018.
- ^ "Intel's Process Roadmap to 2025: With 4nm, 3nm, 20A and 18A?!".
- ^ Schor, David (2019-04-16). "TSMC Announces 6-Nanometer Process". WikiChip Fuse (dalam bahasa Inggris). Diakses tanggal 2019-05-31.
- ^ "Intel 10nm density is 2.7X improved over its 14nm node". HEXUS (dalam bahasa Inggris). Diakses tanggal 2018-11-14.
- ^ Bohr, Mark (2017-03-28). "Let's Clear Up the Node Naming Mess". Intel Newsroom. Diakses tanggal 2018-12-06.
- ^ Cutress, Ian (July 26, 2021). "Intel's Process Roadmap to 2025: with 4nm, 3nm, 20A and 18A?!". AnandTech. Diakses tanggal 2021-07-27.
- ^ "What Products Use Intel 10nm? SuperFin and 10++ Demystified".